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IRF6668
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
?
-
-
?
+
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
?
R G
?
?
?
?
di/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Re-Applied
Voltage
Inductor Curre nt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple  ≤  5%
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 17. Diode Reverse Recovery Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
DirectFET ? Substrate and PCB Layout, MZ Outline
(Medium Size Can, Z-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
www.irf.com
7
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IRF6674TRPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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